摘要 名稱碳化硅的制取方法公開號(hào)1042522公開日1990.05.30 主分類號(hào)C01B31/36分類號(hào)C01B31/36申請(qǐng)?zhí)?8105168.3 分案原申請(qǐng)?zhí)柹暾?qǐng)日1988.11....
名稱 | 碳化硅的制取方法 | ||
公開號(hào) | 1042522 | 公開日 | 1990.05.30 |
主分類號(hào) | C01B31/36 | 分類號(hào) | C01B31/36 |
申請(qǐng)?zhí)?/td> | 88105168.3 | ||
分案原申請(qǐng)?zhí)?/td> | 申請(qǐng)日 | 1988.11.08 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
申請(qǐng)人 | 東北工學(xué)院 | 地址 | 遼寧省沈陽市和平區(qū)文化路一段一號(hào) |
發(fā)明人 | 馮乃祥; 徐秀芝; 李席夢(mèng) | 國際申請(qǐng) | |
國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
專利代理機(jī)構(gòu) | 東北工學(xué)院專利事務(wù)所 | 代理人 | 安宇宏 |
摘要 | 一種制取碳化硅晶體的方法。該方法是將制取碳化硅的反應(yīng)料置于石墨化爐的保溫層內(nèi),生產(chǎn)石墨電極時(shí)同爐生產(chǎn)碳化硅。應(yīng)用此方法可使石墨化爐的能源得到充分利用,降低碳化硅的生產(chǎn)成本。提高石墨電極制造廠的經(jīng)濟(jì)效益。 |