申請?zhí)? 201610121660.4
       主分類號(hào): H01L 21/04(2006.01)
       申請人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
       發(fā)明人: 河田泰之
       摘要： 本發(fā)明提供能夠抑制碳化硅基板的表面缺陷的碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法。首先，在碳化硅基板1的離子注入面，形成依次層疊了硅膜2以及碳膜3的雙層結(jié)構(gòu)的保護(hù)膜4，進(jìn)行活化熱處理。硅膜2的厚度t為1nm以上且3nm以下。碳膜3的厚度為20nm以上。通過在活化熱處理后除去碳膜3，進(jìn)行其后的工序而在碳化硅基板1的離子注入面形成單元結(jié)構(gòu)。在除去碳膜3后，使用XPS法以X射線入射角度45°分析碳化硅基板1的離子注入面的情況下，在碳化硅基板1的離子注入面，以使出現(xiàn)在結(jié)合能285eV～286eV的sp2鍵的碳的峰值強(qiáng)度相對于出現(xiàn)在結(jié)合能283eV～284eV的碳化硅的峰值強(qiáng)度的比值為0.4以下的方式設(shè)定保護(hù)膜厚度。        主權(quán)利要求：1.一種碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：注入工序，從以碳化硅為材料的半導(dǎo)體基板的表面將雜質(zhì)進(jìn)行離子注入；形成工序，在所述半導(dǎo)體基板的離子注入了雜質(zhì)的表面形成保護(hù)膜；和活化工序，對被所述保護(hù)膜覆蓋的狀態(tài)的所述半導(dǎo)體基板進(jìn)行熱處理而使所述雜質(zhì)活化，在所述形成工序中，形成第一保護(hù)膜和第二保護(hù)膜的雙層結(jié)構(gòu)的所述保護(hù)膜，其中，所述第一保護(hù)膜在所述半導(dǎo)體基板的表面上形成，并且供給因所述熱處理導(dǎo)致所述半導(dǎo)體基板中不足的原子，所述第二保護(hù)膜在所述第一保護(hù)膜的表面上形成，并且抑制在所述熱處理時(shí)硅原子從所述半導(dǎo)體基板以及所述第一保護(hù)膜蒸發(fā)。