申請號: 201510323350.6
       申請日: 2015.06.12
       國家/省市: 中國上海(31)
       公開號: 104926309A
       公開日: 2015.09.23
       主分類號: C04B 35/565(2006.01)
       分類號: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01)
       申請人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
       發明人: 劉桂玲; 蘇碧哲; 黃政仁; 劉學建; 陳忠明; 楊勇; 姚秀敏
       代理人: 曹芳玲 鄭優麗
       代理機構: 31261
       申請人地址: 上海市長寧區定西路1295號

       摘要： 本發明涉及一種無硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制備方法，包括：1）將鋁源、碳源、碳化硅粉體和無水乙醇均勻混合后烘干、研磨過篩后得到混合粉體，并采用混合粉體壓制得到陶瓷素坯；2）將陶瓷素坯在真空、650℃～1050℃下加熱裂解；3）將熱裂解后的陶瓷坯體在氮氣氣氛、1550℃～1750℃下進行碳熱還原反應；4）將碳熱還原反應后的陶瓷素坯在惰性氣氛、2050℃～2300℃下燒結得到致密碳化硅陶瓷。采用本發明方法制備的碳化硅陶瓷中含有Si、Al、C、O和N元素，均為中子吸收截面小的元素，不含中子吸收截面大的B或稀土元素。

       主權利要求 1.一種無硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，包括：1）將鋁源、碳源、碳化硅粉體和無水乙醇均勻混合后烘干、研磨過篩后得到混合粉體，并采用混合粉體壓制得到陶瓷素坯；2）將陶瓷素坯在真空、650℃～1050℃下加熱裂解；3）將熱裂解后的陶瓷坯體在氮氣氣氛、1550℃～1750℃下進行碳熱還原反應；4）將碳熱還原反應后的陶瓷素坯在惰性氣氛、2050℃～2300℃下燒結得到致密碳化硅陶瓷。